IGBT maiztasun handiko zuzentzailearen energia-hornioa

Produktu orokorra: Maiztasun handiko IGBT konmutatzeko energia hornitzailea hurrengo sorrerako DC energia hornitzeko gailua da d-gate transistor bipolar (IGBT) bere indarraren osagai gisa, eta, frekuentzia handiko PWM pultsu zabalera modulazio teknologia batean oinarritzen da. Oinarrizko printzipioa honela da: Hiru faseko AC energia zuzendu eta iragazten da DC voltage leun bat sortzeko. gero AC frekuentzia handiko bihurtzen dena (normalki 10 kHz - 50 kHz - bihurtzen da) IGBT-ren zubi osoaren bidez. Maiztasun handiko transformadore baten bidez mailakatu edo isolatu ondoren, irteera azkenik zuzendu eta iragazi egiten da, tentsio edo korronte konstante bat emateko. Thyristorekin kontrolatzen diren botere oinarriekin konparatuta, IGBT maiztasun handiko aldatzeko energia-hornitzak frekuentzia eragilea handitzen du lerroko maiztasutik.